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By Dr.-Ing. Winfried Hahn (auth.)

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Supercomputer ’90: Anwendungen, Architekturen, Trends Mannheim, 21.–23. Juni 1990

Dieser Band enthält alle Hauptvorträge des fünften Mannheimer Seminars über Supercomputer. Das als führende Veranstaltung zu dieser Thematik im deutschsprachigen Raum anerkannte Seminar versammelte wiederum Supercomputer-Anwender, -Betreiber und -Hersteller zu einem fruchtbaren conversation und Erfahrungsaustausch.

Architektur eines EDV-Systems zur Materialflußsteuerung

Während die bestehenden Produktionsplanungs- und Steuerungssysteme mit ihrem Sukzessivplanungskonzept auf Fertigungsstrukturen ausgerichtet sind, die durch eine tiefe Stücklistenstruktur gekennzeichnet sind, werden hier Probleme der Materialflußsteuerung für nach dem Fließprinzip gestaltete Produktionssysteme untersucht.

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4 : UDS t. const. 8 4. Messen Sie zum Vergleich die Steuerkennlinie ID = feUDS) eines p-MOS-FET's a. 5 : UDS = const. 0 rnA b. 6 : UDS t. const. 3 Auswertung 1. 1 fUr UDS = const und UDS t. const. Wodurch unterscheiden sich die beiden Kurven? 31 Der Drain-Vorwiderstand RDD begrenzt durch den an ihm entstehenden Spannungsabfall den Strom auf = 1. 67 rnA Steuerkennlinien eines n-Kanol-FET's bei UOO =+5V 3 mA lhs=const. st. -2 -1 2. 2 mit der Spannung UGS als Parameter. Zeichnen Sie in das Diagramm Widerstandsgeraden fUr DrainVorwiderstande von 1 kn und 2 kn ein (U DD = 10 V).

Dies wird durch An1egen von G1eichspannungen an den Transistor erreicht, die von den Wechse1spannungseingangsund Ausgangssigna1en unabh~ngig sind. Diese Vorspannungen werden so eingeste11t, dae ein geeigneter G1eichstrom durch den Transistor f1ieet. Ein Eingangssigna1 wird zus~tz1ich eingekoppe1t und beeinf1uet den Emitter- oder Basisstrom, wodurch sich der Ko11ektorstrom ~ndert und das Signal verst~rkt am Ausgang erscheint. Drei Verst~rkungsscha1tungen sind m~glich. Sie werden nach dem Transistoransch1ue bezeichnet, der gemeinsamer Bezugspunkt fur den Eingangs- und Ausgangskreis ist (Fig.

Wird der Basisstrom erh~ht, so f1ieBt ein 36 Kollektorstrom. durch den am Kollektorwiderstand ein Spannungsabfall entsteht. die Kollektor-Emitterspannung nimmt abo Bei einem Basisstrom von tiber 50 ~A hat der Kollektorstrom so weit zugenommen. da5 nun an RCC fast die volle Betriebsspannung liegt. Dieser Zustand ist in Fig. 1 durch den Punkt B gekennzeichnet. ttigt". ,X 5 Fig. 1 10 AusgangskennLinienDiagzoamm eines Tzoansistozos in Emittezo-SahaLtung + Uee =10V 10P-A UCE V Fig. 2 Dimensioniezote EmittezosahaLtung Wird die Gerade durch A und B in Fig.

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